Общая электротехника Однофазный переменный ток Трехфазные цепи Машины постоянного и переменного тока Трансформаторы и выпрямители Электроника Теория электросвязи Анализ электрических цепей Мощность трехфазной цепи

Примеры выполнения курсовых работ по электротехнике и электронике

Полевые транзисторы

Полевыми транзисторами называются полупроводниковые приборы, в которых регулирование тока осуществляется изменением проводимости проводящего канала с помощью электрического поля, перпендикулярного направлению тока. Протекание тока в канале обусловлено только одним типом зарядов.

Электроды, подключенные к каналу, называются стоком и истоком, а управляющий электрод – затвором. Управляющее напряжение, создающее электрическое поле в канале, приложено между затвором и истоком.

Различают полевые транзисторы двух типов: с затвором в виде р-n перехода и с изолированным затвором.

Устройство транзистора с затвором в виде p-n перехода представлено на рис. 134.

Основу полевого транзистора составляет полупроводниковая пластина р-типа, к торцам которой приложено напряжение  UС, создающее ток IС, протекающий через сопротивление нагрузки Rн.

 


Рис. 134. Схематическое изображение

полевого транзистора с p-n переходами

В полупроводниковой пластине этот ток создается движением основных носителей заряда. Торец пластины, от которого движутся носители заряда, называется истоком. Торец, к которому движутся носители заряда, называется стоком. В две противоположные боковые поверхности основной пластины вплавлены пластинки n-типа. На границе раздела возникают p-n переходы, к которым в непроводящем направлении между истоком и затвором приложено входное напряжение UЗ.

 


IC=f(UC) при различных значениях напряжения на затворе UЗ (рис. 135).

Включение полевого транзистора по схеме с общим истоком приведено на рис. 136.

Полевой транзистор может включаться также по схеме с общим стоком и с общим затвором. Однако такие схемы включения применяются редко.

Перед биполярными полевые транзисторы имеют существенные преимущества, к которым относятся большое входное сопротивление, малый уровень собственных шумов, незначительное влияние температуры на усилительные свойства. Ток затвора полевого транзистора очень мал и составляет Iз=10–8–10–12 А.

 


 а) б)

Рис. 136. Схемы включения с общим истоком и условные обозначения

полевых транзисторов с управляющим p-n переходом:

а – с каналом n-типа; б – с каналом р-типа

Полевые транзисторы выпускаются также с изолированным затвором. В отличие от транзистора с затвором в виде p-n перехода в транзисторах с изолированным затвором между каналом и затвором внесен изолирующий слой. У транзисторов с изолированным затвором, которые называют транзисторами МДП-типа (металл-диэлектрик-полупроводник), ток затвора уменьшен до величины IЗ=10–13–10–16 А.


Преимущества цифровой обработки сигналов